半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580003426.5

申请日：

2015-07-15

公开(公告)号：

CN105849877B

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

木下明将星保幸原田祐一酒井善行岩谷将伸吕民雅

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2912 H01L29417 H01L29423 H01L2949 H01L2978

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

王颖;金玉兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677918181 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015800034265 申请日:20150715
2016-08-10	公开	公开
2019-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

日本专利 :CN112219282B ,2024-12-03

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

中国专利 :CN112219282A ,2021-01-12

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[4]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中川良辅 ;

中尾雄一 .

中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥彻雄 .

日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤祥代 .

中国专利 :CN104064523A ,2014-09-24

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

森塚翼 ;

白石正树 ;

古川智康 .

日本专利 :CN120898533A ,2025-11-04

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02

← 1 2 3 4 5 →