半导体装置的制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410926176.3

申请日：

2024-07-11

公开(公告)号：

CN120813029A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

小松大辉

申请人：

株式会社东芝东芝电子元件及存储装置株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D64/27

IPC分类号：

H10D12/00 H10D12/01

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/27申请日:20240711

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113614924A ,2021-11-05

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

[5]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN113224023A ,2021-08-06

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中川良辅 ;

中尾雄一 .

中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥彻雄 .

日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤祥代 .

中国专利 :CN104064523A ,2014-09-24

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤祐司 ;

吉田基 ;

藤田淳 .

中国专利 :CN109219868B ,2019-01-15

← 1 2 3 4 5 →