半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410088960.8

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

CN104064523A

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

伊藤祥代

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L27115

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐冰冰;刘杰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751167149 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014100889608 申请公布日:20140924
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587746715 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014100889608 申请日:20140312
2014-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中川良辅 ;

中尾雄一 .

中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥彻雄 .

日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

森塚翼 ;

白石正树 ;

古川智康 .

日本专利 :CN120898533A ,2025-11-04

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

三轮纯也 .

日本专利 :CN121126830A ,2025-12-12

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

添野明高 .

中国专利 :CN106575668A ,2017-04-19

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

坂口武史 ;

杉山裕和 ;

藤井详久 ;

五月女真一 ;

渡部忠兆 ;

松野光一 ;

甲斐直树 .

中国专利 :CN104009040A ,2014-08-27

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

柴口拓 .

中国专利 :CN111755448A ,2020-10-09

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

井口研一 .

日本专利 :CN117355946A ,2024-01-05

← 1 2 3 4 5 →