半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810200156.2

申请日：

2018-03-12

公开(公告)号：

CN108573944A

公开(公告)日：

2018-09-25

发明(设计)人：

五十岚觉加藤伸二郎长谷川尚秋野胜井村行宏

申请人：

申请人地址：

日本千叶县

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;崔立宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/485 申请日:20180312
2019-01-15	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 23/485 变更事项:申请人变更前:精工半导体有限公司变更后:艾普凌科有限公司变更事项:地址变更前:日本千叶县变更后:日本千叶县
2018-09-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

森田健士 ;

加藤伸二郎 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25

[2]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣林贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1485908A ,2004-03-31

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣森贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1132248C ,1997-08-06

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

菊地良幸 .

中国专利 :CN101356638B ,2009-01-28

[6]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1282104A ,2001-01-31

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

内海诚 .

中国专利 :CN107204369A ,2017-09-26

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

冈本康宏 .

中国专利 :CN109390392A ,2019-02-26

[9]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

田中正幸 ;

中嶋一明 ;

綱岛祥隆 ;

伊藤贵之 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1349253A ,2002-05-15

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

荒井伸也 .

中国专利 :CN106469735A ,2017-03-01

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