半导体装置及半导体装置的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610576858.1
申请日
2016-07-20
公开(公告)号
CN106469735A
公开(公告)日
2017-03-01
发明(设计)人
荒井伸也
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2711578
IPC分类号
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
木下明将 ;
星保幸 ;
原田祐一 ;
酒井善行 ;
岩谷将伸 ;
吕民雅 .
中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10
[2]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
高野勇佑 ;
渡部武志 .
中国专利 :CN106531639A ,2017-03-22
[3]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
田中正幸 ;
中嶋一明 ;
綱岛祥隆 ;
伊藤贵之 ;
须黑恭一 .
中国专利 :CN1349253A ,2002-05-15
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
大仲崇之 ;
矢野佑树 .
中国专利 :CN115411002A ,2022-11-29
[5]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
右田达夫 ;
小木曾浩二 .
中国专利 :CN106206501B ,2016-12-07
[6]
半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101681883A ,2010-03-24
[7]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
森田健士 ;
加藤伸二郎 ;
秋野胜 ;
井村行宏 .
中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25
[8]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
菊地良幸 .
中国专利 :CN101356638B ,2009-01-28
[9]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
谷口浩二 .
中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02
[10]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
荣林贵尚 ;
木村广嗣 .
中国专利 :CN1485908A ,2004-03-31