半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411179387.1

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN119562547A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

平崎贵英

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D64/68 H10D62/10

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

早坂明泰 .

日本专利 :CN119562545A ,2025-03-04

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

冈田政也 .

日本专利 :CN119562552A ,2025-03-04

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

真壁勇夫 .

日本专利 :CN119562546A ,2025-03-04

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[5]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

米田健司 .

中国专利 :CN1282230C ,2004-10-13

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

平崎贵英 .

日本专利 :CN117878148A ,2024-04-12

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

薄岛章弘 ;

神山雅充 ;

宫崎靖守 .

中国专利 :CN104051513A ,2014-09-17

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山田高宽 ;

中村茉里香 ;

伊藤正尚 ;

泷口雄贵 .

日本专利 :CN117461141A ,2024-01-26

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1314712A ,2001-09-26

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN101902015A ,2010-12-01

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