半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010228923.4

申请日：

2001-03-21

公开(公告)号：

CN101902015A

公开(公告)日：

2010-12-01

发明(设计)人：

西井胜则井上薰松野年伸池田义人正户宏幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	公开	公开
2012-08-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101445532622 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2010102289234 公开日:20101201
2011-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101030690870 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2010102289234 申请日:20010321

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1314712A ,2001-09-26

[2]

Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN101359667B ,2009-02-04

[3]

Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN100438100C ,2006-05-03

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉嗣晃治 ;

柳生荣治 .

日本专利 :CN114930509B ,2025-12-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

南条拓真 ;

今井章文 ;

绵引达郎 .

中国专利 :CN114175219A ,2022-03-11

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

南条拓真 ;

今井章文 ;

绵引达郎 .

日本专利 :CN114175219B ,2025-08-29

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉嗣晃治 ;

柳生荣治 .

中国专利 :CN114930509A ,2022-08-19

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉冈启 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 ;

仲敏行 .

中国专利 :CN103681884A ,2014-03-26

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

引田正洋 ;

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102318047A ,2012-01-11

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