半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080091781.3

申请日：

2020-01-10

公开(公告)号：

CN114930509B

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

吉嗣晃治柳生荣治

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D30/87

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

金光华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉嗣晃治 ;

柳生荣治 .

中国专利 :CN114930509A ,2022-08-19

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

仓桥健一郎 ;

南条拓真 ;

吹田宗义 ;

今井章文 ;

柳生荣治 ;

冈崎拓行 .

中国专利 :CN106558601A ,2017-04-05

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1314712A ,2001-09-26

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

南条拓真 ;

今井章文 ;

绵引达郎 .

中国专利 :CN114175219A ,2022-03-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN101902015A ,2010-12-01

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

南条拓真 ;

今井章文 ;

绵引达郎 .

日本专利 :CN114175219B ,2025-08-29

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

王俊利 ;

平野智之 ;

片冈豊隆 ;

萩本贤哉 .

中国专利 :CN101345244B ,2009-01-14

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

引田正洋 ;

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102318047A ,2012-01-11

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈崎拓行 ;

仓桥健一郎 ;

小山英寿 ;

北野俊明 ;

加茂宣卓 .

中国专利 :CN106531791A ,2017-03-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

藏口雅彦 ;

吉冈启 ;

汤元美树 ;

斋藤尚史 ;

大麻浩平 ;

杉山亨 .

中国专利 :CN104064598A ,2014-09-24

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