半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310737010.9

申请日：

2013-12-26

公开(公告)号：

CN104064598A

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

藏口雅彦吉冈启汤元美树斋藤尚史大麻浩平杉山亨

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

杨谦;胡建新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587749084 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013107370109 申请日:20131226
2017-05-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751986287 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013107370109 申请公布日:20140924
2014-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

早坂明泰 .

日本专利 :CN119562545A ,2025-03-04

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

引田正洋 ;

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102318047A ,2012-01-11

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈崎拓行 ;

仓桥健一郎 ;

小山英寿 ;

北野俊明 ;

加茂宣卓 .

中国专利 :CN106531791A ,2017-03-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岛津贵志 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101794820A ,2010-08-04

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

闵宣基 .

中国专利 :CN115117015A ,2022-09-27

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1314712A ,2001-09-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉嗣晃治 ;

柳生荣治 .

日本专利 :CN114930509B ,2025-12-09

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

古贺洋贵 .

中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

南条拓真 ;

今井章文 ;

绵引达郎 .

中国专利 :CN114175219A ,2022-03-11

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN101902015A ,2010-12-01

← 1 2 3 4 5 →