Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810146095.2

申请日：

2001-03-21

公开(公告)号：

CN101359667B

公开(公告)日：

2009-02-04

发明(设计)人：

西井胜则井上薰松野年伸池田义人正户宏幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L27118

IPC分类号：

H01L29778 H01L21784 H01L21335 H01L21338 H01L3300 H01S510 H01S500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/118 申请日:20010321 授权公告日:20101201 终止日期:20200321
2009-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-04	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN100438100C ,2006-05-03

[2]

Ⅲ族氮化物半导体及其制造方法 [P].

小早川真人 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100481330C ,2007-09-19

[3]

氮化物半导体装置及其制造方法 [P].

柴田大辅 ;

柳原学 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN102473647A ,2012-05-23

[4]

III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法 [P].

藤仓序章 ;

江利健 .

中国专利 :CN101949058A ,2011-01-19

[5]

Ⅲ族氮化物半导体的制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN101847577A ,2010-09-29

[6]

制造Ⅲ族氮化物半导体的方法 [P].

佐藤峻之 ;

永井诚二 ;

森勇介 ;

北冈康夫 ;

岩井真 ;

东原周平 .

中国专利 :CN101851785B ,2010-10-06

[7]

氮化物半导体装置以及制造氮化物半导体装置的方法 [P].

富田英干 ;

上田博之 ;

森朋彦 .

中国专利 :CN109638076A ,2019-04-16

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边温 ;

高桥宏和 ;

木村义则 ;

宫地护 .

中国专利 :CN1689205A ,2005-10-26

[9]

III 族氮化物半导体发光装置及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

五所野尾浩一 .

中国专利 :CN106887503A ,2017-06-23

[10]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

小岛彰 ;

平松敏夫 ;

手钱雄太 .

中国专利 :CN1189920C ,2003-04-23

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