Ⅲ族氮化物半导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010135194.8

申请日：

2010-03-15

公开(公告)号：

CN101847577A

公开(公告)日：

2010-09-29

发明(设计)人：

奥野浩司

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-29	公开	公开
2010-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101016483716 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010101351948 申请日:20100315
2012-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

制造Ⅲ族氮化物半导体的方法 [P].

佐藤峻之 ;

永井诚二 ;

森勇介 ;

北冈康夫 ;

岩井真 ;

东原周平 .

中国专利 :CN101851785B ,2010-10-06

[2]

Ⅲ族氮化物半导体及其制造方法 [P].

小早川真人 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100481330C ,2007-09-19

[3]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

小岛彰 ;

平松敏夫 ;

手钱雄太 .

中国专利 :CN1189920C ,2003-04-23

[4]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1413357A ,2003-04-23

[5]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[6]

ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101853816A ,2010-10-06

[7]

第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN102326228A ,2012-01-18

[8]

Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

篠原裕直 ;

酒井浩光 .

中国专利 :CN101558502A ,2009-10-14

[9]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

[10]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

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