III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410578598.2

申请日：

2014-10-24

公开(公告)号：

CN104576869A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

嵯峨宣弘德山慎司住吉和英京野孝史片山浩二滨口达史梁岛克典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

鲁雯雯;金龙河

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672090384 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2014105785982 申请日:20141024
2018-12-28	授权	授权
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

[2]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[3]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[4]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[5]

III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

八百隆文 ;

藤井克司 .

中国专利 :CN103348043B ,2013-10-09

[6]

III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

八百隆文 ;

藤井克司 .

中国专利 :CN105529248A ,2016-04-27

[7]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[8]

III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法 [P].

京野孝史 ;

高木慎平 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN103329368A ,2013-09-25

[9]

III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 ;

松浦尚 ;

滨口达史 ;

古岛裕司 .

中国专利 :CN104916751A ,2015-09-16

[10]

III族氮化物半导体的制造方法、III族氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101925979B ,2010-12-22

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