III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180047494.3

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN103348043B

公开(公告)日：

2013-10-09

发明(设计)人：

鸟羽隆一宫下雅仁八百隆文藤井克司

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1414 C23C1434 C23C1458 C30B2518 H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-09	公开	公开
2016-03-09	授权	授权
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101536323420 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2011800474943 申请日:20110930

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

八百隆文 ;

藤井克司 .

中国专利 :CN105529248A ,2016-04-27

[2]

III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P].

住田行常 ;

藤山泰治 ;

后藤裕辉 ;

中川拓哉 ;

石原裕次郎 .

中国专利 :CN110088364A ,2019-08-02

[3]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[4]

III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P].

松本光二 ;

小野敏昭 ;

天野浩 ;

本田善央 .

中国专利 :CN108352307B ,2018-07-31

[5]

III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P].

松本光二 ;

小野敏昭 ;

天野浩 ;

本田善央 .

中国专利 :CN115020192A ,2022-09-06

[6]

III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P].

住田行常 ;

藤山泰治 ;

后藤裕辉 ;

中川拓哉 ;

石原裕次郎 .

中国专利 :CN110100304A ,2019-08-06

[7]

III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P].

住田行常 ;

藤山泰治 .

中国专利 :CN110168701A ,2019-08-23

[8]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[9]

III族氮化物半导体基板和III族氮化物半导体基板的制造方法 [P].

后藤裕辉 ;

石原裕次郎 .

中国专利 :CN110462113A ,2019-11-15

[10]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

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