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III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201680063653.1
申请日：
2016-11-01
公开(公告)号：
CN108352307B
公开(公告)日：
2018-07-31
发明(设计)人：
松本光二 小野敏昭 天野浩 本田善央
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21205
IPC分类号：
C23C1634 C30B2938 H01L2120 H01L21302 H01L3312 H01L3322 H01L3332
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
李婷;刘林华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-07-31 公开 公开
2018-08-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20161101
2022-07-05 授权 授权
共 50 条
[1]
III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
中国专利 :CN115020192A ,2022-09-06
[2]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110100304A ,2019-08-06
[3]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 .
中国专利 :CN110168701A ,2019-08-23
[4]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110088364A ,2019-08-02
[5]
III族氮化物半导体基板和III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
后藤裕辉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110462113A ,2019-11-15
[6]
III族氮化物半导体基板的制造方法、III族氮化物半导体基板及块状晶体 [P]. 
石原裕次郎 ;
后藤裕辉 ;
布田将一 ;
小林智浩 ;
佐佐木斉 .
中国专利 :CN110462114A ,2019-11-15
[7]
III族氮化物半导体基板 [P]. 
后藤裕辉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110431258A ,2019-11-08
[8]
III族氮化物半导体基板及其制造方法 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
日本专利 :CN112470260B ,2024-05-14
[9]
III族氮化物半导体基板及其制造方法 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
中国专利 :CN112470260A ,2021-03-09
[10]
III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P]. 
鸟羽隆一 ;
宫下雅仁 ;
八百隆文 ;
藤井克司 .
中国专利 :CN103348043B ,2013-10-09
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