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III族氮化物半导体基板及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980034452.2
申请日：
2019-03-05
公开(公告)号：
CN112470260A
公开(公告)日：
2021-03-09
发明(设计)人：
松本光二 小野敏昭 天野浩 本田善央
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2131
IPC分类号：
C23C1406 C23C1604 C23C1634 C23C1644 C30B2502 C30B2938
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
梅黎
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-03-09 公开 公开
2021-03-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20190305
共 50 条
[1]
III族氮化物半导体基板及其制造方法 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
日本专利 :CN112470260B ,2024-05-14
[2]
III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
中国专利 :CN108352307B ,2018-07-31
[3]
III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
中国专利 :CN115020192A ,2022-09-06
[4]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110100304A ,2019-08-06
[5]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 .
中国专利 :CN110168701A ,2019-08-23
[6]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110088364A ,2019-08-02
[7]
III族氮化物半导体基板和III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
后藤裕辉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110462113A ,2019-11-15
[8]
III族氮化物半导体基板的制造方法、III族氮化物半导体基板及块状晶体 [P]. 
石原裕次郎 ;
后藤裕辉 ;
布田将一 ;
小林智浩 ;
佐佐木斉 .
中国专利 :CN110462114A ,2019-11-15
[9]
III族氮化物半导体基板及其制造方法 [P]. 
冈本贵敏 .
中国专利 :CN110391585A ,2019-10-29
[10]
第III族氮化物半导体基板的制备方法 [P]. 
松本光二 ;
小野敏昭 ;
天野浩 ;
本田善央 .
中国专利 :CN111527587A ,2020-08-11
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