III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280005963.X

申请日：

2012-01-19

公开(公告)号：

CN103329368A

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

京野孝史高木慎平住友隆道善积祐介盐谷阳平上野昌纪梁岛克典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S502

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533524240 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:201280005963X 申请日:20120119
2016-02-03	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101644485943 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:201280005963X 放弃生效日:20160203
2013-09-25	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01

[2]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102763293B ,2012-10-31

[3]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

上野昌纪 ;

片山浩二 ;

池上隆俊 ;

中村孝夫 ;

梁岛克典 ;

中岛博 .

中国专利 :CN104303381A ,2015-01-21

[4]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

吉田乔久 ;

足立真宽 .

中国专利 :CN103620895A ,2014-03-05

[5]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

住友隆道 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

足立真宽 ;

高木慎平 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN103797665A ,2014-05-14

[6]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[7]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

[8]

III族氮化物系半导体激光元件 [P].

石桥明彦 ;

大野启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

中国专利 :CN112186495A ,2021-01-05

[9]

Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

善积祐介 ;

高木慎平 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102714397A ,2012-10-03

[10]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

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