Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080009778.9

申请日：

2010-12-28

公开(公告)号：

CN102714397A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

善积祐介高木慎平盐谷阳平京野孝史足立真宽上野昌纪住友隆道德山慎司片山浩二中村孝夫池上隆俊

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

谢丽娜;关兆辉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101721635429 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010800097789 申请公布日:20121003
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353334913 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010800097789 申请日:20101228
2012-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01

[2]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102763293B ,2012-10-31

[3]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

上野昌纪 ;

片山浩二 ;

池上隆俊 ;

中村孝夫 ;

梁岛克典 ;

中岛博 .

中国专利 :CN104303381A ,2015-01-21

[4]

III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法 [P].

京野孝史 ;

高木慎平 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN103329368A ,2013-09-25

[5]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

吉田乔久 ;

足立真宽 .

中国专利 :CN103620895A ,2014-03-05

[6]

III族氮化物半导体激光元件 [P].

住友隆道 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

足立真宽 ;

高木慎平 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN103797665A ,2014-05-14

[7]

Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09

[8]

氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 [P].

松山裕司 ;

铃木真二 ;

伊势康介 ;

道上敦生 ;

米田章法 .

中国专利 :CN1677778A ,2005-10-05

[9]

氮化物半导体激光元件 [P].

吉田真治 ;

持田笃范 ;

冈口贵大 .

中国专利 :CN104364983A ,2015-02-18

[10]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102668282B ,2012-09-12

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