氮化物半导体激光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380031459.1

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN104364983A

公开(公告)日：

2015-02-18

发明(设计)人：

吉田真治持田笃范冈口贵大

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01S5028

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

齐秀凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	公开	公开
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602309629 IPC(主分类):H01S 5/028 专利申请号:2013800314591 申请日:20130828
2016-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 [P].

松山裕司 ;

铃木真二 ;

伊势康介 ;

道上敦生 ;

米田章法 .

中国专利 :CN1677778A ,2005-10-05

[2]

氮化物半导体激光元件 [P].

佐野雅彦 .

中国专利 :CN1203596C ,2003-03-19

[3]

氮化物半导体激光元件 [P].

太田征孝 ;

伊藤茂稔 ;

津田有三 ;

麦华路巴武吕 ;

高桥幸司 .

中国专利 :CN102084560A ,2011-06-01

[4]

氮化物半导体激光元件 [P].

难波江宏一 .

日本专利 :CN118367447A ,2024-07-19

[5]

氮化物半导体激光元件 [P].

川口真生 ;

今藤修 ;

能崎信一郎 ;

萩野裕幸 .

中国专利 :CN107851969B ,2018-03-27

[6]

氮化物半导体激光元件 [P].

小野泽和利 ;

田村聪之 ;

春日井秀纪 .

中国专利 :CN101965667A ,2011-02-02

[7]

氮化物半导体激光元件 [P].

狩野隆司 .

中国专利 :CN102208754A ,2011-10-05

[8]

氮化物半导体激光元件 [P].

驹田聪 ;

津田有三 .

中国专利 :CN109787087A ,2019-05-21

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

吉田真治 ;

持田笃范 .

中国专利 :CN104247173A ,2014-12-24

[10]

氮化物半导体激光元件及半导体激光装置 [P].

野口哲宽 ;

谷善彦 ;

谷本佳美 ;

津田有三 .

中国专利 :CN111490455A ,2020-08-04

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