氮化物半导体激光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811246829.4

申请日：

2018-10-24

公开(公告)号：

CN109787087A

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

驹田聪津田有三

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01S520

IPC分类号：

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚;习冬梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	授权	授权
2019-05-21	公开	公开
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/20 申请日:20181024
2022-03-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/20 登记生效日:20220317 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:无日本国大阪府堺市堺区匠町1番地变更后权利人:日本广岛县福山市大门町旭1番地

共 50 条

[1]

氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 [P].

松山裕司 ;

铃木真二 ;

伊势康介 ;

道上敦生 ;

米田章法 .

中国专利 :CN1677778A ,2005-10-05

[2]

氮化物半导体激光元件 [P].

难波江宏一 .

日本专利 :CN118367447A ,2024-07-19

[3]

氮化物半导体激光元件 [P].

狩野隆司 .

中国专利 :CN102208754A ,2011-10-05

[4]

氮化物半导体激光元件 [P].

吉田真治 ;

持田笃范 ;

冈口贵大 .

中国专利 :CN104364983A ,2015-02-18

[5]

氮化物半导体激光元件 [P].

佐野雅彦 .

中国专利 :CN1203596C ,2003-03-19

[6]

氮化物半导体激光元件 [P].

太田征孝 ;

伊藤茂稔 ;

津田有三 ;

麦华路巴武吕 ;

高桥幸司 .

中国专利 :CN102084560A ,2011-06-01

[7]

氮化物半导体激光元件 [P].

川口真生 ;

今藤修 ;

能崎信一郎 ;

萩野裕幸 .

中国专利 :CN107851969B ,2018-03-27

[8]

氮化物半导体激光元件 [P].

小野泽和利 ;

田村聪之 ;

春日井秀纪 .

中国专利 :CN101965667A ,2011-02-02

[9]

氮化物半导体激光元件及半导体激光装置 [P].

野口哲宽 ;

谷善彦 ;

谷本佳美 ;

津田有三 .

中国专利 :CN111490455A ,2020-08-04

[10]

Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

善积祐介 ;

高木慎平 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102714397A ,2012-10-03

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