III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510102739.8

申请日：

2015-03-09

公开(公告)号：

CN104916751A

公开(公告)日：

2015-09-16

发明(设计)人：

盐谷阳平京野孝史上野昌纪中村孝夫松浦尚滨口达史古岛裕司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3316 H01L3332 H01S5343 H01S5323

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

权太白;谢丽娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	公开	公开
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629177561 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:2015101027398 申请日:20150309
2018-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/36 申请公布日:20150916

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[2]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

[3]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

[4]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[5]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[6]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01

[7]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102763293B ,2012-10-31

[8]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[9]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[10]

III族氮化物半导体发光元件及III族氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

米村卓巳 ;

京野孝史 ;

盐谷阳平 .

中国专利 :CN103748749A ,2014-04-23

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