Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780045961.2

申请日：

2007-12-19

公开(公告)号：

CN101558502A

公开(公告)日：

2009-10-14

发明(设计)人：

篠原裕直酒井浩光

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101439133584 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2007800459612 公开日:20091014
2009-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件、灯和中间掩模 [P].

田中和文 .

中国专利 :CN103296154A ,2013-09-11

[2]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101542756A ,2009-09-23

[3]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 ;

冈部健彦 ;

塙健三 .

中国专利 :CN102113140A ,2011-06-29

[4]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

[5]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN103518266B ,2014-01-15

[6]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

[7]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[8]

Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 .

中国专利 :CN102017082A ,2011-04-13

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18

[10]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

黃成敏 .

韩国专利 :CN118575287A ,2024-08-30

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