Ⅲ族氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280022650.5

申请日：

2012-06-12

公开(公告)号：

CN103518266B

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

宇田川隆

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

C30B2938 H01L21203 H01L21205 H01L3308

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;杨光军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	授权	授权
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571923121 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2012800226505 申请日:20120612
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN103518267A ,2014-01-15

[2]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18

[3]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

[4]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

黃成敏 .

韩国专利 :CN118575287A ,2024-08-30

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[6]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN1707890A ,2005-12-14

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN115312642A ,2022-11-08

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