氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510075140.6

申请日：

2005-06-08

公开(公告)号：

CN1707890A

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

长谷川义晃横川俊哉石桥明彦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

H01S5343 H01S500 H01L3300

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳;邸万杰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/323 登记生效日:20200605 变更事项:专利权人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:松下半导体解决方案株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本京都府
2006-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-12-14	公开	公开
2008-08-13	授权	授权
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20050608 授权公告日:20080813 终止日期:20210608

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN115312642A ,2022-11-08

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

横山彩 .

日本专利 :CN120391102A ,2025-07-29

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

川田至孝 .

中国专利 :CN118738239A ,2024-10-01

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

徐志豪 ;

宣融 ;

张郁香 ;

黄荣俊 ;

陈俊颖 .

中国专利 :CN103187502B ,2013-07-03

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

和田贡 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 .

中国专利 :CN111527612A ,2020-08-11

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