氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880084382.7

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN111527612A

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

和田贡松仓勇介古泽优太

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20181031
2020-08-11	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

希利尔·贝诺 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 ;

和田贡 .

中国专利 :CN111052411A ,2020-04-21

[2]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[3]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111095579A ,2020-05-01

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN1707890A ,2005-12-14

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

井上知也 .

中国专利 :CN106415860B ,2017-02-15

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN115312642A ,2022-11-08

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