氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210174858.0

申请日：

2012-05-30

公开(公告)号：

CN103187502B

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

徐志豪宣融张郁香黄荣俊陈俊颖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3332 H01L3302

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥;祁建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499121817 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2012101748580 申请日:20120530
2016-07-06	授权	授权
2018-01-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/40 登记生效日:20171214 变更事项:专利权人变更前权利人:财团法人工业技术研究院变更后权利人:俊杰光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号变更后权利人:中国台湾新北市新庄区明中街12号之16五楼
2013-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN1707890A ,2005-12-14

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN115312642A ,2022-11-08

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

横山彩 .

日本专利 :CN120391102A ,2025-07-29

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

川田至孝 .

中国专利 :CN118738239A ,2024-10-01

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

和田贡 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 .

中国专利 :CN111527612A ,2020-08-11

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