半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210317296.0

申请日：

2012-08-31

公开(公告)号：

CN103137674A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

久保昌彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2973

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张靖琳

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-22	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101743162596 IPC(主分类):H01L 29/73 专利申请号:2012103172960 放弃生效日:20170822
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486726389 IPC(主分类):H01L 29/73 专利申请号:2012103172960 申请日:20120831

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

中国专利 :CN112786691A ,2021-05-11

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

野口宗隆 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN109417098B ,2019-03-01

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

日本专利 :CN117995840A ,2024-05-07

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩崎真也 .

中国专利 :CN105190897A ,2015-12-23

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

矢田乡昌稔 ;

白石尚宽 ;

近藤胜则 ;

渡部宪佳 .

中国专利 :CN113823672A ,2021-12-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤农佑树 ;

横山升 ;

奥村秀树 .

中国专利 :CN108962993B ,2018-12-07

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

石井裕二 ;

指宿勇二 ;

田中秀树 ;

葛西宪太郎 .

中国专利 :CN102386215A ,2012-03-21

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林敬介 ;

远藤诚 ;

井上潮美 .

日本专利 :CN117637825A ,2024-03-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

古畑智之 .

中国专利 :CN105390547B ,2016-03-09

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

安藤直人 .

中国专利 :CN106972059B ,2017-07-21

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