稀土磁体制造方法以及稀土磁体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280040743.0

申请日：

2012-08-22

公开(公告)号：

CN103765528A

公开(公告)日：

2014-04-30

发明(设计)人：

佐久间纪次岸本秀史

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01F1057

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;杨晓光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-25	授权	授权
2014-04-30	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582569179 IPC(主分类):H01F 1/057 专利申请号:2012800407430 申请日:20120822

共 50 条

[1]

稀土磁体制造方法 [P].

庄司哲也 ;

大村真也 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN103946931A ,2014-07-23

[2]

稀土磁体以及制造稀土磁体的方法 [P].

二宫彬仁 ;

真谷康隆 ;

太田伊吹树 .

日本专利 :CN120432255A ,2025-08-05

[3]

稀土磁体以及制造稀土磁体的方法 [P].

二宫彬仁 ;

真谷康隆 ;

太田伊吹树 .

日本专利 :CN120432257A ,2025-08-05

[4]

稀土磁体以及制造稀土磁体的方法 [P].

二宫彬仁 ;

真谷康隆 ;

太田伊吹树 .

日本专利 :CN120432256A ,2025-08-05

[5]

制造稀土磁体的方法 [P].

加纳彰 ;

庄司哲也 ;

山下修 ;

一期崎大辅 .

中国专利 :CN105849829B ,2016-08-10

[6]

制造稀土磁体的方法 [P].

芳贺一昭 .

中国专利 :CN107017069A ,2017-08-04

[7]

稀土磁体及其制造方法 [P].

伊东正朗 ;

庄司哲也 ;

佐久间纪次 ;

一期崎大辅 .

中国专利 :CN111383809B ,2020-07-07

[8]

稀土磁体及其制造方法 [P].

江头繁树 ;

岛内一诚 ;

前田彻 .

中国专利 :CN108292547A ,2018-07-17

[9]

稀土磁体及其制造方法 [P].

铃木俊治 ;

桥野早人 ;

平冈将宏 ;

薮见崇生 .

中国专利 :CN101640087B ,2010-02-03

[10]

稀土磁体及其制造方法 [P].

伊东正朗 ;

佐久间纪次 ;

矢野正雄 ;

岸本秀史 ;

庄司哲也 .

中国专利 :CN108335814A ,2018-07-27

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