稀土磁体以及制造稀土磁体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510055917.X

申请日：

2025-01-14

公开(公告)号：

CN120432255A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

二宫彬仁真谷康隆太田伊吹树

申请人：

本田技研工业株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01F1/057

IPC分类号：

H01F41/02

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

张美芹;叶朝君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01F 1/057申请日:20250114
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

稀土磁体以及制造稀土磁体的方法 [P].

二宫彬仁 ;

真谷康隆 ;

太田伊吹树 .

日本专利 :CN120432257A ,2025-08-05

[2]

稀土磁体以及制造稀土磁体的方法 [P].

二宫彬仁 ;

真谷康隆 ;

太田伊吹树 .

日本专利 :CN120432256A ,2025-08-05

[3]

稀土磁体制造方法以及稀土磁体 [P].

佐久间纪次 ;

岸本秀史 .

中国专利 :CN103765528A ,2014-04-30

[4]

制造稀土磁体的方法 [P].

芳贺一昭 .

中国专利 :CN107017069A ,2017-08-04

[5]

制造稀土磁体的方法 [P].

佐久间纪次 ;

庄司哲也 ;

佐久间大祐 ;

芳贺一昭 .

中国专利 :CN105849828A ,2016-08-10

[6]

稀土磁体的制造方法 [P].

伊东正朗 ;

佐久间纪次 ;

矢野正雄 ;

岸本秀史 ;

庄司哲也 .

中国专利 :CN108735412B ,2018-11-02

[7]

制造稀土磁体的方法 [P].

佐久间纪次 ;

庄司哲也 ;

佐久间大祐 ;

芳贺一昭 .

中国专利 :CN105830178B ,2016-08-03

[8]

制造稀土磁体的方法 [P].

加纳彰 ;

庄司哲也 ;

山下修 ;

一期崎大辅 .

中国专利 :CN105849829B ,2016-08-10

[9]

稀土磁体的制造方法 [P].

芳贺一昭 ;

上野纪幸 ;

加纳彰 ;

犬冢智宪 ;

佐久间纪次 .

中国专利 :CN105390264A ,2016-03-09

[10]

制造稀土磁体的方法 [P].

宫本典孝 ;

真锅明 ;

庄司哲也 ;

一期崎大辅 .

中国专利 :CN103403815A ,2013-11-20

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