一种制备新型缓冲层氧化物靶材及其氧化物薄膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310144981.2
申请日
2013-04-24
公开(公告)号
CN103305793A
公开(公告)日
2013-09-18
发明(设计)人
黄信二
申请人
申请人地址
341000 江西省赣州市开发区香港工业园北区标准厂房六栋
IPC主分类号
C23C1408
IPC分类号
C23C1434 H01L3118 H01L3104
代理机构
江西省专利事务所 36100
代理人
杨志宇
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种导电氧化物靶材及导电氧化物薄膜的制备方法 [P]. 
黄信二 .
中国专利 :CN103205707B ,2013-07-17
[2]
一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用 [P]. 
陈明飞 ;
王金科 ;
刘永成 ;
郭梓旋 ;
徐胜利 ;
陈明高 ;
江长久 ;
王志杰 ;
莫国仁 ;
李跃辉 .
中国专利 :CN116288180B ,2025-02-25
[3]
一种新型缓冲层氧化锌硫靶材及其制备方法 [P]. 
黄信二 .
中国专利 :CN104404459A ,2015-03-11
[4]
一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法 [P]. 
陈德杨 ;
尹小哲 ;
邓雄 ;
陈超 ;
孙菲 .
中国专利 :CN110408888A ,2019-11-05
[5]
一种氧化物薄膜的制备方法、氧化物薄膜及其应用 [P]. 
姚蕾 ;
刘国栋 ;
丁早晖 .
中国专利 :CN117364042A ,2024-01-09
[6]
一种氧化物靶材及其制备方法 [P]. 
徐苗 ;
徐华 ;
李民 ;
陶洪 ;
邹建华 ;
王磊 ;
彭俊彪 .
中国专利 :CN116199497B ,2024-10-29
[7]
氧化物缓冲层及其制备方法 [P]. 
范峰 ;
鲁玉明 ;
周文谦 ;
刘志勇 ;
蔡传兵 .
中国专利 :CN101562065A ,2009-10-21
[8]
铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜 [P]. 
柯伯贤 ;
谢承谚 ;
简毓苍 ;
刘砚鸣 .
中国专利 :CN113201714A ,2021-08-03
[9]
一种氧化铟锡锌靶材、氧化物薄膜及其制备方法 [P]. 
陈明飞 ;
刘永成 ;
王金科 ;
郭梓旋 ;
徐胜利 ;
陈明高 ;
江长久 ;
王志杰 ;
莫国仁 ;
李跃辉 .
中国专利 :CN115418618A ,2022-12-02
[10]
复合金属氧化物靶材及复合金属氧化物靶材形成的复合金属氧化物薄膜 [P]. 
刘燕妮 ;
朱旭山 .
中国专利 :CN110697783A ,2020-01-17