包含极性基质和金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680043294.3

申请日：

2016-06-22

公开(公告)号：

CN107851736A

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

乌尔里希·登克尔卡斯滕·洛特沃洛季米尔·森科维斯基托马斯·卡里兹

申请人：

申请人地址：

德国德累斯顿

IPC主分类号：

H01L5156

IPC分类号：

H01L5100 H01L5152

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

吴润芝;郭国清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	公开	公开
2020-06-05	授权	授权
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/56 申请日:20160622

共 50 条

[1]

包含膦氧化物基质和金属掺杂剂的n-掺杂的半导体材料 [P].

欧姆莱恩·法德尔 ;

卡斯滕·罗特 ;

扬·比尔恩施托克 ;

安斯加尔·维尔纳 ;

凯·吉尔格 ;

延斯·安格曼 ;

迈克·策尔纳 ;

弗朗西斯科·布卢姆 ;

托马斯·罗泽诺 ;

托比亚斯·坎茨勒 ;

托马斯·卡里兹 ;

乌尔里希·登克尔 .

中国专利 :CN106062986B ,2016-10-26

[2]

包含两种金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料 [P].

托马斯·卡里兹 ;

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

乌韦·戈尔弗特 ;

维金塔斯·扬库什 ;

卡斯滕·洛特 ;

本杰明·舒尔策 ;

斯特芬·维尔曼 .

中国专利 :CN108463897A ,2018-08-28

[3]

包含极性基质和金属掺杂剂的有机发光器件 [P].

乌尔里希·登克尔 ;

卡斯滕·洛特 ;

沃洛季米尔·森科维斯基 ;

托马斯·卡里兹 .

中国专利 :CN107851735A ,2018-03-27

[4]

包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件 [P].

乌韦·戈尔弗特 ;

卡斯滕·罗特 ;

维金塔斯·扬库什 .

中国专利 :CN111900255A ,2020-11-06

[5]

包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件 [P].

乌韦·戈尔弗特 ;

卡斯滕·罗特 ;

维金塔斯·扬库什 .

中国专利 :CN107851733B ,2018-03-27

[6]

包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件 [P].

乌韦·戈尔弗特 ;

卡斯滕·罗特 ;

维金塔斯·扬库什 .

德国专利 :CN111900255B ,2024-03-15

[7]

包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件 [P].

卡斯滕·洛特 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

维金塔斯·扬库什 ;

金亨宣 ;

金炳求 .

中国专利 :CN107978683B ,2018-05-01

[8]

掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法 [P].

肖贵云 ;

白枭龙 ;

尚伟泽 .

中国专利 :CN112160020A ,2021-01-01

[9]

有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂 [P].

冈特·施密德 ;

扬·豪克·韦姆肯 ;

玛丽娜·A·彼得鲁希娜 .

中国专利 :CN102576802B ,2012-07-11

[10]

包含掺杂剂的墨水 [P].

R·Y·梁 ;

D·周 ;

W·范 .

中国专利 :CN101965628B ,2011-02-02

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