包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711002821.9

申请日：

2017-10-24

公开(公告)号：

CN107978683B

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

卡斯滕·洛特多玛果伊·帕维奇科杰罗姆·加尼耶维金塔斯·扬库什金亨宣金炳求

申请人：

申请人地址：

德国德累斯顿

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

吴润芝;郭国清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20171024
2018-05-01	公开	公开
2022-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

包含有机半导体材料的电子器件 [P].

欧姆莱恩·法德尔 ;

拉莫娜·普雷奇 .

中国专利 :CN102986050A ,2013-03-20

[2]

有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂 [P].

冈特·施密德 ;

扬·豪克·韦姆肯 ;

玛丽娜·A·彼得鲁希娜 .

中国专利 :CN102576802B ,2012-07-11

[3]

化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述有机半导体材料的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件 [P].

埃莱娜·嘉兰·加西亚 ;

耶夫恩·卡尔波夫 .

德国专利 :CN119698411A ,2025-03-25

[4]

电掺杂有机半导体材料和包含它的有机发光器件 [P].

迈克·策尔纳 ;

欧姆莱恩·法德尔 ;

乌尔里希·登克尔 .

中国专利 :CN106663746A8 ,2017-05-10

[5]

电荷传输半导体材料和包含其的电子器件 [P].

凯·莱德雷尔 ;

斯特芬·伦格 ;

扬·布洛赫维茨-尼莫特 ;

费利克斯·林贝格 ;

哈特穆特·克吕格尔 .

中国专利 :CN109075266B ,2018-12-21

[6]

半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P].

杰罗姆·加尼耶 ;

托马斯·斯坦内特 ;

约翰内斯·斯科尔茨 ;

黄强 .

德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18

[7]

包含极性基质和金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料 [P].

乌尔里希·登克尔 ;

卡斯滕·洛特 ;

沃洛季米尔·森科维斯基 ;

托马斯·卡里兹 .

中国专利 :CN107851736A ,2018-03-27

[8]

电荷传输半导体材料和包含它的电子器件 [P].

凯·莱德雷尔 ;

斯特芬·伦格 ;

费利克斯·林贝格 ;

哈特穆特·克吕格尔 .

中国专利 :CN107104191B ,2017-08-29

[9]

化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述有机半导体材料的有机电子器件以及制备所述有机电子器件的方法 [P].

耶夫恩·卡尔波夫 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

埃莱娜·嘉兰加西亚 .

德国专利 :CN119522218A ,2025-02-25

[10]

化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述材料的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件和照明器件 [P].

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

本杰明·舒尔策 ;

埃莱娜·嘉兰加西亚 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

斯特芬·伦格 ;

约翰内斯·斯科尔茨 .

德国专利 :CN113728454B ,2024-09-24

← 1 2 3 4 5 →