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半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380064508.5
申请日：
2023-09-29
公开(公告)号：
CN119856598A
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
杰罗姆·加尼耶 托马斯·斯坦内特 约翰内斯·斯科尔茨 黄强
申请人：
诺瓦尔德股份有限公司
申请人地址：
德国
IPC主分类号：
H10K85/10
IPC分类号：
H10K85/60
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
郭国清;宫方斌
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10K 85/10申请日:20230929
2025-04-18 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物 [P]. 
托马斯·斯坦内特 .
德国专利 :CN119836865A ,2025-04-15
[2]
有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P]. 
大江貴裕 ;
川島紀之 ;
高橋保 ;
菅野研一郎 .
中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06
[3]
有机半导体材料和半导体器件 [P]. 
胜原真央 ;
鹈川彰人 .
中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31
[4]
有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P]. 
半那纯一 ;
岛川彻平 ;
赤田正典 ;
前田博己 .
中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17
[5]
带有有机半导体材料的半导体器件 [P]. 
Ａ·Ｒ·布朗 ;
Ｄ·Ｍ·迪卢 ;
Ｅ·Ｊ·卢斯 ;
Ｅ·Ｅ·哈文加 .
中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04
[6]
有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P]. 
大江贵裕 ;
川岛纪之 ;
高桥保 ;
菅野研一郎 .
中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24
[7]
包含有机半导体材料的电子器件 [P]. 
欧姆莱恩·法德尔 ;
拉莫娜·普雷奇 .
中国专利 :CN102986050A ,2013-03-20
[8]
化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述有机半导体材料的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件 [P]. 
埃莱娜·嘉兰·加西亚 ;
耶夫恩·卡尔波夫 .
德国专利 :CN119698411A ,2025-03-25
[9]
有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P]. 
胜原真央 ;
鹈川彰人 ;
宫本佳洋 ;
国清敏幸 .
中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17
[10]
有机半导体器件 [P]. 
史蒂文·M·谢伊弗斯 ;
丹尼尔·R·加莫塔 ;
小保罗·W·布拉齐斯 ;
张婕 ;
劳伦斯·E·拉克 .
中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11
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