有机半导体材料和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710109572.3
申请日
2007-06-27
公开(公告)号
CN101335331A
公开(公告)日
2008-12-31
发明(设计)人
胜原真央 鹈川彰人
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L5100
IPC分类号
H01L5105 H01L5130 C07D51900 C07D51304
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
宋莉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P]. 
大江貴裕 ;
川島紀之 ;
高橋保 ;
菅野研一郎 .
中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06
[2]
有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P]. 
大江贵裕 ;
川岛纪之 ;
高桥保 ;
菅野研一郎 .
中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24
[3]
有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P]. 
半那纯一 ;
岛川彻平 ;
赤田正典 ;
前田博己 .
中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17
[4]
有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P]. 
胜原真央 ;
鹈川彰人 ;
宫本佳洋 ;
国清敏幸 .
中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17
[5]
带有有机半导体材料的半导体器件 [P]. 
A·R·布朗 ;
D·M·迪卢 ;
E·J·卢斯 ;
E·E·哈文加 .
中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04
[6]
有机半导体器件 [P]. 
史蒂文·M·谢伊弗斯 ;
丹尼尔·R·加莫塔 ;
小保罗·W·布拉齐斯 ;
张婕 ;
劳伦斯·E·拉克 .
中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11
[7]
半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P]. 
杰罗姆·加尼耶 ;
托马斯·斯坦内特 ;
约翰内斯·斯科尔茨 ;
黄强 .
德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18
[8]
有机半导体材料 [P]. 
M·梅鲁西 ;
L·法瓦莱托 ;
M·赞姆比安奇 ;
R·卡佩里 ;
M·穆西尼 .
中国专利 :CN103547581B ,2014-01-29
[9]
有机半导体材料 [P]. 
尾坂格 ;
泷宫和男 .
中国专利 :CN103703583A ,2014-04-02
[10]
有机半导体材料 [P]. 
M·梅璐茜 ;
L·法瓦雷托 ;
M·赞边奇 ;
R·卡佩利 ;
M·穆西尼 .
中国专利 :CN105209471B ,2015-12-30