半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380064465.0

申请日：

2023-09-29

公开(公告)号：

CN119836865A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

托马斯·斯坦内特

申请人：

诺瓦尔德股份有限公司

申请人地址：

德国

IPC主分类号：

H10K85/10

IPC分类号：

H10K85/60

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

郭国清;宫方斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 85/10申请日:20230929
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P].

杰罗姆·加尼耶 ;

托马斯·斯坦内特 ;

约翰内斯·斯科尔茨 ;

黄强 .

德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18

[2]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

[3]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[4]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[5]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[6]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[7]

有机半导体材料 [P].

M·梅鲁西 ;

L·法瓦莱托 ;

M·赞姆比安奇 ;

R·卡佩里 ;

M·穆西尼 .

中国专利 :CN103547581B ,2014-01-29

[8]

有机半导体材料 [P].

M·梅璐茜 ;

L·法瓦雷托 ;

M·赞边奇 ;

R·卡佩利 ;

M·穆西尼 .

中国专利 :CN105209471B ,2015-12-30

[9]

半导体材料和形成半导体材料的方法 [P].

D·奇丹巴尔拉奥 ;

O·H·多库马奇 ;

O·格卢斯陈克夫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100388415C ,2005-12-07

[10]

半导体封装材料和半导体器件 [P].

荒山千佳 .

中国专利 :CN113423753A ,2021-09-21

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