采用低温烧结纳米银的双面互连硅基IGBT模块的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710952767.8

申请日：

2017-10-13

公开(公告)号：

CN107887368A

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

梅云辉刘文付善灿陆国权李欣

申请人：

申请人地址：

300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2518 H01L23488 H01L2160

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 25/07 申请公布日:20180406
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20171013
2018-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块及制备方法 [P].

梅云辉 ;

冯晶晶 ;

李欣 ;

陆国权 .

中国专利 :CN106373954A ,2017-02-01

[2]

一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块 [P].

梅云辉 ;

张心印 ;

李欣 ;

陆国权 .

中国专利 :CN109411464A ,2019-03-01

[3]

无压低温烧结纳米银焊膏封装大功率IGBT器件的方法 [P].

梅云辉 ;

付善灿 ;

陆国权 .

中国专利 :CN104392942A ,2015-03-04

[4]

纳米银的烧结方法 [P].

唐松章 ;

宋义雄 ;

蒋遥 .

中国专利 :CN121171904A ,2025-12-19

[5]

一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块化封装方法 [P].

梅云辉 ;

谢宜静 ;

付善灿 ;

陆国权 ;

李欣 .

中国专利 :CN107910324A ,2018-04-13

[6]

以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法 [P].

陈旭 ;

陆国权 ;

宋洁 .

中国专利 :CN100435366C ,2006-11-29

[7]

一种纳米银导电墨水的低温烧结方法 [P].

陈金菊 ;

王小明 .

中国专利 :CN111269616B ,2020-06-12

[8]

一种低温烧结的锡掺杂纳米银焊膏的制备方法 [P].

李欣 ;

杨呈祥 ;

陆国权 ;

梅云辉 .

中国专利 :CN107175433A ,2017-09-19

[9]

一种基于低温纳米银浆料的SiC功率模块烧结连接方法 [P].

谢明达 ;

刘忠鑫 ;

黄泰豪 .

中国专利 :CN121236013A ,2025-12-30

[10]

低温烧结纳米银浆热导率测试样品的制备方法 [P].

柯炜 ;

刘建影 ;

路秀真 ;

黄时荣 .

中国专利 :CN107271232A ,2017-10-20

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