高效功率MOS场效应管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821076819.6
申请日
2018-07-09
公开(公告)号
CN208385417U
公开(公告)日
2019-01-15
发明(设计)人
黄彦智 陆佳顺 杨洁雯
申请人
申请人地址
215126 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
马明渡;王健
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
钟惠生 ;
李冰 .
中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15
[2]
功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29
[3]
低功耗功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988890U ,2021-08-17
[4]
一种功率沟槽式MOS场效应管 [P]. 
梅小杰 ;
林河北 ;
杜永琴 .
中国专利 :CN210092060U ,2020-02-18
[5]
一种功率沟槽式MOS场效应管 [P]. 
朱袁正 ;
张鲁 .
中国专利 :CN201181706Y ,2009-01-14
[6]
高频率大功率沟槽MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045508U ,2018-11-02
[7]
高频率大功率沟槽MOS场效应管 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN206179872U ,2017-05-17
[8]
在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法 [P]. 
苏毅 ;
安荷·叭剌 .
中国专利 :CN102386182B ,2012-03-21
[9]
场效应管 [P]. 
杨湛 ;
陈涛 ;
刘会聪 ;
陈冬蕾 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN207705200U ,2018-08-07
[10]
场效应管 [P]. 
任留涛 ;
李菲 ;
禹久赢 .
中国专利 :CN206878005U ,2018-01-12