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一种功率沟槽式MOS场效应管

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921230126.2
申请日：
2019-07-30
公开(公告)号：
CN210092060U
公开(公告)日：
2020-02-18
发明(设计)人：
梅小杰 林河北 杜永琴
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)
IPC主分类号：
H01L2302
IPC分类号：
H01L2316 H01L2978 H01L23367
代理机构：
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人：
彭西洋;谢亮
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-02-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种功率沟槽式MOS场效应管 [P]. 
朱袁正 ;
张鲁 .
中国专利 :CN201181706Y ,2009-01-14
[2]
功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29
[3]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
钟惠生 ;
李冰 .
中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15
[4]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15
[5]
低功耗功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988890U ,2021-08-17
[6]
高频率大功率沟槽MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045508U ,2018-11-02
[7]
高频率大功率沟槽MOS场效应管 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN206179872U ,2017-05-17
[8]
一种沟槽式场效应管 [P]. 
黎国伟 .
中国专利 :CN203351608U ,2013-12-18
[9]
一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法 [P]. 
朱袁正 .
中国专利 :CN100555635C ,2008-09-10
[10]
一种分立的功率mos场效应管 [P]. 
谭在超 ;
罗寅 ;
丁国华 ;
邹望杰 .
中国专利 :CN206301804U ,2017-07-04
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