一种分立的功率mos场效应管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621426629.3

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN206301804U

公开(公告)日：

2017-07-04

发明(设计)人：

谭在超罗寅丁国华邹望杰

申请人：

申请人地址：

710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园瞪羚谷B303室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L21336

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

徐文权

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种分立的功率mos场效应管及其制造方法 [P].

谭在超 ;

罗寅 ;

丁国华 ;

邹望杰 .

中国专利 :CN106531810A ,2017-03-22

[2]

功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29

[3]

高效功率MOS场效应管 [P].

钟惠生 ;

李冰 .

中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15

[4]

高效功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15

[5]

在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法 [P].

苏毅 ;

安荷·叭剌 .

中国专利 :CN102386182B ,2012-03-21

[6]

低功耗功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213988890U ,2021-08-17

[7]

一种功率沟槽式MOS场效应管 [P].

梅小杰 ;

林河北 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN210092060U ,2020-02-18

[8]

一种功率沟槽式MOS场效应管 [P].

朱袁正 ;

张鲁 .

中国专利 :CN201181706Y ,2009-01-14

[9]

一种制造功率MOS场效应管的方法 [P].

理查德A·布兰查德 .

中国专利 :CN1230880C ,2003-07-30

[10]

一种功率场效应管器件 [P].

梁嘉进 ;

伍震威 ;

单建安 ;

管浩 .

中国专利 :CN221379376U ,2024-07-19

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