一种分立的功率mos场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611206763.7

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN106531810A

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

谭在超罗寅丁国华邹望杰

申请人：

申请人地址：

710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园瞪羚谷B303室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L21336

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

徐文权

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	公开	公开
2017-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101714019203 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016112067637 申请日:20161223

共 50 条

[1]

一种分立的功率mos场效应管 [P].

谭在超 ;

罗寅 ;

丁国华 ;

邹望杰 .

中国专利 :CN206301804U ,2017-07-04

[2]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1280919C ,2003-09-17

[3]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1941414B ,2007-04-04

[4]

功率场效应管及其制造方法 [P].

于绍欣 .

中国专利 :CN102130161A ,2011-07-20

[5]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971941A ,2007-05-30

[6]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971944A ,2007-05-30

[7]

一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法 [P].

朱袁正 .

中国专利 :CN100555635C ,2008-09-10

[8]

场效应管及其制造方法 [P].

秦旭东 ;

徐慧龙 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108463889B ,2018-08-28

[9]

场效应管及其制造方法 [P].

倪崇尧 .

中国专利 :CN120812986A ,2025-10-17

[10]

场效应管及其制造方法 [P].

袁晓龙 ;

沈健 ;

姚国峰 ;

柳玉平 .

中国专利 :CN114127949A ,2022-03-01

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