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场效应管及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410396284.4
申请日
:
2024-04-02
公开(公告)号
:
CN120812986A
公开(公告)日
:
2025-10-17
发明(设计)人
:
倪崇尧
申请人
:
湖南虹安微电子有限责任公司
申请人地址
:
410000 湖南省长沙市高新开发区麓枫路61号湘麓国际花园二期酒店、公寓2509
IPC主分类号
:
H10D30/60
IPC分类号
:
H10D30/01
代理机构
:
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
:
刘悦
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-17
公开
公开
2025-11-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20240402
共 50 条
[1]
场效应管及其制造方法
[P].
秦旭东
论文数:
0
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0
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0
秦旭东
;
徐慧龙
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徐慧龙
;
张臣雄
论文数:
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0
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张臣雄
.
中国专利
:CN108463889B
,2018-08-28
[2]
场效应管及其制造方法
[P].
袁晓龙
论文数:
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0
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袁晓龙
;
沈健
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沈健
;
姚国峰
论文数:
0
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0
姚国峰
;
柳玉平
论文数:
0
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0
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0
柳玉平
.
中国专利
:CN114127949A
,2022-03-01
[3]
肖特基场效应管及其制造方法
[P].
石清云
论文数:
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0
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石清云
;
沈震
论文数:
0
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0
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0
沈震
;
李可
论文数:
0
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0
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0
李可
.
中国专利
:CN110391300A
,2019-10-29
[4]
功率场效应管及其制造方法
[P].
于绍欣
论文数:
0
引用数:
0
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0
于绍欣
.
中国专利
:CN102130161A
,2011-07-20
[5]
一种场效应管及场效应管制造方法
[P].
马万里
论文数:
0
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0
马万里
.
中国专利
:CN102842505A
,2012-12-26
[6]
功率MOS场效应管及其制造方法
[P].
理查德·A·布兰查德
论文数:
0
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0
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理查德·A·布兰查德
.
中国专利
:CN1280919C
,2003-09-17
[7]
结型场效应管及其制造方法
[P].
小林俊介
论文数:
0
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0
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小林俊介
.
中国专利
:CN101170136A
,2008-04-30
[8]
功率MOS场效应管及其制造方法
[P].
理查德·A·布兰查德
论文数:
0
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0
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0
理查德·A·布兰查德
.
中国专利
:CN1941414B
,2007-04-04
[9]
石墨烯场效应管及其制造方法
[P].
张金松
论文数:
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0
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0
张金松
;
于承霖
论文数:
0
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0
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于承霖
;
李绍锐
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李绍锐
;
高志廷
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高志廷
;
王永超
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0
王永超
;
李耀鑫
论文数:
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0
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0
李耀鑫
;
王亚愚
论文数:
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0
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0
王亚愚
.
中国专利
:CN111739803B
,2020-10-02
[10]
场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法
[P].
洪宾
论文数:
0
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机构:
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
洪宾
;
王子岳
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
王子岳
;
论文数:
引用数:
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机构:
张帆
;
刘风光
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
刘风光
;
论文数:
引用数:
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机构:
陈磊
;
王燕
论文数:
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0
机构:
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
王燕
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
赵巍胜
.
中国专利
:CN113488538B
,2025-02-25
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