场效应管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410396284.4
申请日
2024-04-02
公开(公告)号
CN120812986A
公开(公告)日
2025-10-17
发明(设计)人
倪崇尧
申请人
湖南虹安微电子有限责任公司
申请人地址
410000 湖南省长沙市高新开发区麓枫路61号湘麓国际花园二期酒店、公寓2509
IPC主分类号
H10D30/60
IPC分类号
H10D30/01
代理机构
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
刘悦
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应管及其制造方法 [P]. 
秦旭东 ;
徐慧龙 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108463889B ,2018-08-28
[2]
场效应管及其制造方法 [P]. 
袁晓龙 ;
沈健 ;
姚国峰 ;
柳玉平 .
中国专利 :CN114127949A ,2022-03-01
[3]
肖特基场效应管及其制造方法 [P]. 
石清云 ;
沈震 ;
李可 .
中国专利 :CN110391300A ,2019-10-29
[4]
功率场效应管及其制造方法 [P]. 
于绍欣 .
中国专利 :CN102130161A ,2011-07-20
[5]
一种场效应管及场效应管制造方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN102842505A ,2012-12-26
[6]
功率MOS场效应管及其制造方法 [P]. 
理查德·A·布兰查德 .
中国专利 :CN1280919C ,2003-09-17
[7]
结型场效应管及其制造方法 [P]. 
小林俊介 .
中国专利 :CN101170136A ,2008-04-30
[8]
功率MOS场效应管及其制造方法 [P]. 
理查德·A·布兰查德 .
中国专利 :CN1941414B ,2007-04-04
[9]
石墨烯场效应管及其制造方法 [P]. 
张金松 ;
于承霖 ;
李绍锐 ;
高志廷 ;
王永超 ;
李耀鑫 ;
王亚愚 .
中国专利 :CN111739803B ,2020-10-02
[10]
场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法 [P]. 
洪宾 ;
王子岳 ;
张帆 ;
刘风光 ;
陈磊 ;
王燕 ;
赵巍胜 .
中国专利 :CN113488538B ,2025-02-25