功率MOS场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610125629.4

申请日：

2001-06-01

公开(公告)号：

CN1941414B

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

理查德·A·布兰查德

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

夏凯;钟强

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	授权	授权
2007-04-04	公开	公开
2017-07-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101735963398 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006101256294 申请日:20010601 授权公告日:20120815 终止日期:20160601
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1280919C ,2003-09-17

[2]

功率场效应管及其制造方法 [P].

于绍欣 .

中国专利 :CN102130161A ,2011-07-20

[3]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971944A ,2007-05-30

[4]

高频率大功率沟槽MOS场效应管及其制造方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN106409912A ,2017-02-15

[5]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971941A ,2007-05-30

[6]

MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983630A ,2007-06-20

[7]

功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29

[8]

一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法 [P].

朱袁正 .

中国专利 :CN100555635C ,2008-09-10

[9]

场效应管及其制造方法 [P].

秦旭东 ;

徐慧龙 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108463889B ,2018-08-28

[10]

场效应管及其制造方法 [P].

倪崇尧 .

中国专利 :CN120812986A ,2025-10-17

← 1 2 3 4 5 →