一种制造功率MOS场效应管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01810604.8

申请日：

2001-06-01

公开(公告)号：

CN1230880C

公开(公告)日：

2003-07-30

发明(设计)人：

理查德A·布兰查德

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2166 H01L21225 H01L2978 H01L2906

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

关兆辉;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-07-30	公开	公开
2003-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-12-07	授权	授权
2017-07-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101737003725 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL018106048 申请日:20010601 授权公告日:20051207 终止日期:20160601

共 50 条

[1]

功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29

[2]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1280919C ,2003-09-17

[3]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1941414B ,2007-04-04

[4]

高效功率MOS场效应管 [P].

钟惠生 ;

李冰 .

中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15

[5]

高效功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15

[6]

一种功率MOS场效应管的制作方法 [P].

吴小利 ;

许丹 .

中国专利 :CN101777497A ,2010-07-14

[7]

提高功率MOS场效应管击穿电压的方法 [P].

吴小利 ;

许丹 .

中国专利 :CN101707183B ,2010-05-12

[8]

低功耗功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213988890U ,2021-08-17

[9]

在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法 [P].

苏毅 ;

安荷·叭剌 .

中国专利 :CN102386182B ,2012-03-21

[10]

一种功率沟槽式MOS场效应管 [P].

梅小杰 ;

林河北 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN210092060U ,2020-02-18

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