一种氧化硅刻蚀方法

被引：0

申请号：

CN202210296768.2

申请日：

2022-03-24

公开(公告)号：

CN114783867A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

林源为袁仁志董子晗孔宇威

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

B81C100 B81B702

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

廉莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	公开	公开
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20220324

共 50 条

[1]

一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法 [P].

王兆祥 ;

杜若昕 ;

刘俊良 ;

刘志强 .

中国专利 :CN103187264A ,2013-07-03

[2]

二氧化硅的刻蚀方法 [P].

李成强 .

中国专利 :CN104925739A ,2015-09-23

[3]

一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法 [P].

杨渝书 ;

李程 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102592985A ,2012-07-18

[4]

一种深层氧化硅波导与沟槽的刻蚀工艺 [P].

王曰海 ;

邓李朋 ;

戴庭舸 .

中国专利 :CN117509533A ,2024-02-06

[5]

新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法 [P].

李俊良 .

中国专利 :CN120690715A ,2025-09-23

[6]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[7]

一种氧化硅刻蚀的方法 [P].

赵士超 ;

张琪 ;

张志豪 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 ;

王昕 .

中国专利 :CN105895521B ,2016-08-24

[8]

一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法 [P].

王曰海 ;

邓李朋 ;

戴庭舸 .

中国专利 :CN117534031A ,2024-02-09

[9]

氧化硅纤维的制备方法和氧化硅纤维 [P].

林源为 ;

张海苗 .

中国专利 :CN113097053A ,2021-07-09

[10]

一种刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

朱开放 ;

任华 ;

郭春祥 ;

彭泰彦 ;

杨宇新 ;

许开东 .

中国专利 :CN118280829A ,2024-07-02

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