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新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510729746.4
申请日
:
2025-06-03
公开(公告)号
:
CN120690715A
公开(公告)日
:
2025-09-23
发明(设计)人
:
李俊良
申请人
:
上海稷以科技有限公司
申请人地址
:
200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室
IPC主分类号
:
H01L21/67
IPC分类号
:
H01L21/311
H01L21/02
代理机构
:
上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312
代理人
:
孟丽娜
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20250603
2025-09-23
公开
公开
共 50 条
[1]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
李国强
;
衣新燕
论文数:
0
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0
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0
机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
衣新燕
.
中国专利
:CN118073250A
,2024-05-24
[2]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
李国强
;
衣新燕
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
衣新燕
.
中国专利
:CN118073250B
,2024-07-09
[3]
一种氧化硅刻蚀方法
[P].
林源为
论文数:
0
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林源为
;
袁仁志
论文数:
0
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袁仁志
;
董子晗
论文数:
0
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董子晗
;
孔宇威
论文数:
0
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孔宇威
.
中国专利
:CN114783867A
,2022-07-22
[4]
刻蚀机及刻蚀方法
[P].
汝伟亮
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
汝伟亮
;
陈子健
论文数:
0
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
陈子健
.
中国专利
:CN120581473A
,2025-09-02
[5]
刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法
[P].
赵金强
论文数:
0
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赵金强
;
周国平
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周国平
;
薛锋
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薛锋
;
王惠芳
论文数:
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王惠芳
.
中国专利
:CN102148151A
,2011-08-10
[6]
氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
[P].
孟令款
论文数:
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0
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孟令款
.
中国专利
:CN103531473A
,2014-01-22
[7]
刻蚀腔体环境测试装置及刻蚀机台
[P].
刘金麟
论文数:
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0
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
刘金麟
;
彭杰
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0
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0
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
彭杰
.
中国专利
:CN222636120U
,2025-03-18
[8]
刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法
[P].
白靖宇
论文数:
0
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0
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0
白靖宇
.
中国专利
:CN110491803A
,2019-11-22
[9]
半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法
[P].
江新泽
论文数:
0
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江新泽
;
胡旭峰
论文数:
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0
胡旭峰
.
中国专利
:CN109616405A
,2019-04-12
[10]
刻蚀机台腔体清洁方法
[P].
宋坤润
论文数:
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
宋坤润
;
姚婷
论文数:
0
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
姚婷
;
韩梦飞
论文数:
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
韩梦飞
;
朴骏哲
论文数:
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
朴骏哲
.
中国专利
:CN120545162A
,2025-08-26
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