新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510729746.4
申请日
2025-06-03
公开(公告)号
CN120690715A
公开(公告)日
2025-09-23
发明(设计)人
李俊良
申请人
上海稷以科技有限公司
申请人地址
200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/311 H01L21/02
代理机构
上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312
代理人
孟丽娜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
李国强 ;
衣新燕 .
中国专利 :CN118073250A ,2024-05-24
[2]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
李国强 ;
衣新燕 .
中国专利 :CN118073250B ,2024-07-09
[3]
一种氧化硅刻蚀方法 [P]. 
林源为 ;
袁仁志 ;
董子晗 ;
孔宇威 .
中国专利 :CN114783867A ,2022-07-22
[4]
刻蚀机及刻蚀方法 [P]. 
汝伟亮 ;
陈子健 .
中国专利 :CN120581473A ,2025-09-02
[5]
刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P]. 
赵金强 ;
周国平 ;
薛锋 ;
王惠芳 .
中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10
[6]
氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 [P]. 
孟令款 .
中国专利 :CN103531473A ,2014-01-22
[7]
刻蚀腔体环境测试装置及刻蚀机台 [P]. 
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彭杰 .
中国专利 :CN222636120U ,2025-03-18
[8]
刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法 [P]. 
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中国专利 :CN110491803A ,2019-11-22
[9]
半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法 [P]. 
江新泽 ;
胡旭峰 .
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[10]
刻蚀机台腔体清洁方法 [P]. 
宋坤润 ;
姚婷 ;
韩梦飞 ;
朴骏哲 .
中国专利 :CN120545162A ,2025-08-26