刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410499880.5
申请日
2024-04-24
公开(公告)号
CN118073250B
公开(公告)日
2024-07-09
发明(设计)人
李国强 衣新燕
申请人
广州市艾佛光通科技有限公司
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区瑞吉二街49号201房
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01J37/32 H01L21/683
代理机构
广东海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377
代理人
陈椅行
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
李国强 ;
衣新燕 .
中国专利 :CN118073250A ,2024-05-24
[2]
刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
张君 ;
刘利坚 ;
谢秋实 ;
李东三 .
中国专利 :CN105336563A ,2016-02-17
[3]
刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法 [P]. 
白靖宇 .
中国专利 :CN110491803A ,2019-11-22
[4]
新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法 [P]. 
李俊良 .
中国专利 :CN120690715A ,2025-09-23
[5]
刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
胡家艳 ;
孔祥健 ;
吴凡 .
中国专利 :CN113113302A ,2021-07-13
[6]
刻蚀机及刻蚀方法 [P]. 
汝伟亮 ;
陈子健 .
中国专利 :CN120581473A ,2025-09-02
[7]
刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
胡家艳 ;
孔祥健 ;
吴凡 .
中国专利 :CN113113302B ,2024-05-03
[8]
刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
王坚 ;
贾照伟 ;
张怀东 ;
杨青 ;
王晖 .
中国专利 :CN103367198A ,2013-10-23
[9]
刻蚀设备以及晶边刻蚀方法 [P]. 
陈峰 ;
李天慧 ;
黄晓橹 .
中国专利 :CN109148252A ,2019-01-04
[10]
半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置 [P]. 
刘隆冬 .
中国专利 :CN112259550A ,2021-01-22