刻蚀装置及刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210089507.X

申请日：

2012-03-30

公开(公告)号：

CN103367198A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

王坚贾照伟张怀东杨青王晖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号4幢

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605905509 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:201210089507X 申请日:20120330
2013-10-23	公开	公开
2020-03-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/67 变更事项:专利权人变更前:盛美半导体设备(上海)有限公司变更后:盛美半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号4幢变更后:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢

共 50 条

[1]

刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

李国强 ;

衣新燕 .

中国专利 :CN118073250B ,2024-07-09

[2]

刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法 [P].

白靖宇 .

中国专利 :CN110491803A ,2019-11-22

[3]

刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

李国强 ;

衣新燕 .

中国专利 :CN118073250A ,2024-05-24

[4]

刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

张君 ;

刘利坚 ;

谢秋实 ;

李东三 .

中国专利 :CN105336563A ,2016-02-17

[5]

晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

陈永远 .

中国专利 :CN106653645B ,2017-05-10

[6]

刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

胡家艳 ;

孔祥健 ;

吴凡 .

中国专利 :CN113113302A ,2021-07-13

[7]

一种基板刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

章仟益 .

中国专利 :CN107293508A ,2017-10-24

[8]

刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

张军 ;

徐惠芬 .

中国专利 :CN113889395A ,2022-01-04

[9]

刻蚀机及刻蚀方法 [P].

汝伟亮 ;

陈子健 .

中国专利 :CN120581473A ,2025-09-02

[10]

刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

关超阳 ;

罗东 ;

刘健 ;

金娇 .

中国专利 :CN117457525A ,2024-01-26

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