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刻蚀方法及刻蚀设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110265900.9
申请日
:
2021-03-11
公开(公告)号
:
CN113113302A
公开(公告)日
:
2021-07-13
发明(设计)人
:
胡家艳
孔祥健
吴凡
申请人
:
申请人地址
:
430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
IPC主分类号
:
H01L21311
IPC分类号
:
H01L2167
H01J37305
H01J3732
代理机构
:
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
:
崔晓岚;张颖玲
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20210311
2021-07-13
公开
公开
共 50 条
[1]
刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
胡家艳
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
武汉光迅科技股份有限公司
武汉光迅科技股份有限公司
胡家艳
;
孔祥健
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机构:
武汉光迅科技股份有限公司
武汉光迅科技股份有限公司
孔祥健
;
吴凡
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机构:
武汉光迅科技股份有限公司
武汉光迅科技股份有限公司
吴凡
.
中国专利
:CN113113302B
,2024-05-03
[2]
刻蚀设备及刻蚀方法
[P].
张军
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0
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0
张军
;
徐惠芬
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徐惠芬
.
中国专利
:CN113889395A
,2022-01-04
[3]
刻蚀设备及刻蚀方法
[P].
关超阳
论文数:
0
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
关超阳
;
罗东
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0
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
罗东
;
刘健
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
刘健
;
金娇
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
金娇
.
中国专利
:CN117457525A
,2024-01-26
[4]
刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
杨晓隆
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机构:
上海显耀显示科技有限公司
上海显耀显示科技有限公司
杨晓隆
;
童玲
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机构:
上海显耀显示科技有限公司
上海显耀显示科技有限公司
童玲
.
中国专利
:CN118098950A
,2024-05-28
[5]
刻蚀设备及刻蚀方法
[P].
张言彩
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
张言彩
.
中国专利
:CN119725162A
,2025-03-28
[6]
介质层刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
杨婷
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
杨婷
;
张忠宇
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
张忠宇
;
姜竹林
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
姜竹林
.
中国专利
:CN120600628A
,2025-09-05
[7]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法
[P].
李国强
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
李国强
;
衣新燕
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
衣新燕
.
中国专利
:CN118073250B
,2024-07-09
[8]
刻蚀腔体、刻蚀装置及刻蚀方法
[P].
李国强
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
李国强
;
衣新燕
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
衣新燕
.
中国专利
:CN118073250A
,2024-05-24
[9]
刻蚀设备以及晶边刻蚀方法
[P].
陈峰
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陈峰
;
李天慧
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李天慧
;
黄晓橹
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黄晓橹
.
中国专利
:CN109148252A
,2019-01-04
[10]
刻蚀装置及刻蚀方法
[P].
张君
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张君
;
刘利坚
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刘利坚
;
谢秋实
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谢秋实
;
李东三
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李东三
.
中国专利
:CN105336563A
,2016-02-17
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