抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210229948.9

申请日：

2022-03-10

公开(公告)号：

CN115070608B

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

尹钟旭郑恩先尹晟勋许惠暎徐章源

申请人：

SK恩普士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

B24B37/24

IPC分类号：

B24B37/26 B24D11/00 B24B37/10 H01L21/304

代理机构：

成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258

代理人：

赵瑞

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):B24B 37/24登记生效日:20250618变更事项:专利权人变更前权利人:SK恩普士有限公司变更后权利人:恩普士有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:韩国变更后权利人:韩国变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国忠清南道
2024-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

尹晟勋 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115070608A ,2022-09-20

[2]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN114310656A ,2022-04-12

[3]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN114310656B ,2024-03-08

[4]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

郑恩先 ;

安宰仁 .

中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19

[5]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115302401A ,2022-11-08

[6]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN115302401B ,2024-03-08

[7]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

徐章源 ;

文秀泳 .

中国专利 :CN115302402A ,2022-11-08

[8]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

徐章源 ;

文秀泳 .

韩国专利 :CN115302402B ,2024-12-24

[9]

抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

甄明玉 ;

徐章源 ;

柳智娟 .

韩国专利 :CN114346894B ,2024-05-14

[10]

抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

甄明玉 ;

徐章源 ;

柳智娟 .

中国专利 :CN114346894A ,2022-04-15

← 1 2 3 4 5 →