一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311524270.8

申请日：

2023-11-16

公开(公告)号：

CN117238972B

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

汪之涵温正欣和巍巍

申请人：

深圳基本半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/10 H01L21/336

代理机构：

深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374

代理人：

李小东

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-03	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 29/78变更事项:专利权人变更前:深圳基本半导体有限公司变更后:深圳基本半导体股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼变更后:518000 广东省深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801
2024-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231116
2024-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

汪之涵 ;

喻双柏 ;

温正欣 .

中国专利 :CN115394853A ,2022-11-25

[2]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

温正欣 ;

喻双柏 ;

郑泽东 ;

张学强 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN113745338A ,2021-12-03

[3]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[4]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[6]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱袁正 ;

朱晨凯 ;

杨卓 ;

黄薛佺 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN120091607A ,2025-06-03

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[8]

分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN118630053A ,2024-09-10

[9]

沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

兰逸飞 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687743B ,2021-04-20

[10]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

杨乐 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN120282501B ,2025-08-08

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