碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011594363.4

申请日：

2020-12-29

公开(公告)号：

CN112687745B

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

张金平王鹏蛟吴庆霖刘竞秀张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L2906 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	公开	公开
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201229
2022-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅平面MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

李小锋 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687746B ,2021-04-20

[2]

沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

兰逸飞 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687743B ,2021-04-20

[3]

平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

陈伟 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687744B ,2021-04-20

[4]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[6]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[7]

碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114005869B ,2025-03-07

[8]

碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114005869A ,2022-02-01

[9]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及构造方法 [P].

任玉娇 ;

任炜强 ;

余良 .

中国专利 :CN120187072A ,2025-06-20

[10]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

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